智能導(dǎo)電膠設(shè)計

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試（Test）

半導(dǎo)體測試工藝FLOW

為驗證每道工序是否正確執(zhí)行半導(dǎo)體將在室溫（25攝氏度）下進行測試。測試主要包括Wafer Test、封裝測試、 模組測試。

Burn-in/Temp Cycling是一種在高溫和低溫條件下進行的可靠性測試，初只在封裝測試階段進行，但隨著晶圓測試階段的重要性不斷提高，許多封裝Burn-in項目都轉(zhuǎn)移到WBI（Wafer Burn-in）中。此外，將測試與Burn-in結(jié)合起來的TDBI（Test During Burn-in）概念下進行Burn-in測試，正式測試在Burn-in前后進行的復(fù)合型測試也有大量應(yīng)用的趨勢。這將節(jié)省時間和成本。模組測試（Module Test）為了檢測PCB（Printed Circuit Board)和芯片之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系，在常溫下進行直流（DC/ Direct Current）直接電流/電壓）/功能（Function）測試后，代替Burn-in，在模擬客戶實際使用環(huán)境對芯片進行測試，市面上導(dǎo)電膠分多種，而其中專業(yè)內(nèi)存存儲測試這塊的，就是導(dǎo)電膠測試墊片。智能導(dǎo)電膠設(shè)計

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點你要知道 (6)薄膜沉積工藝

大家好！半導(dǎo)體工序中的第六道工序，即薄膜沉積工藝（Thin film deposition）時間。完成蝕刻（Etching）工藝的晶片現(xiàn)在穿上了薄膜的衣服；薄膜是指1微米以下的薄膜。當(dāng)你把這些薄膜涂在晶片上時，它就會產(chǎn)生電學(xué)特性。一起了解更多詳細內(nèi)容吧？！

1. 薄膜覆蓋

如上所述，薄膜指的是真正的薄膜。如果你想到如何覆蓋比晶片更薄的膜，沉積工藝真的很令人困惑。在半徑為100mm的晶片上覆蓋1μm薄膜，就像是要在半徑為100m的土地上精細地涂上比膠帶厚度還薄的膜，你是不是真的很迷茫？因此，這些薄膜工藝需要非常精確和細致的工作。就像所有的半導(dǎo)體工藝一樣。智能導(dǎo)電膠設(shè)計為了測試封裝的半導(dǎo)體芯片，我們把芯片和電氣連接在一起的介質(zhì)稱為測試座。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點你要知道 (6)薄膜沉積工藝

2. PVD和CVD首先制作薄膜的方法主要分為兩類：物相沉積PVD(Physical Vapor Deposition)和化學(xué)汽相淀積CVD(Chemical Vapor Deposition)。兩種方法的區(qū)別在于“物理沉積還是化學(xué)沉積”。物相沉積（PVD）又大致分為熱蒸發(fā)法（Thermal evaporation）、電子束蒸發(fā)法（E-beam evaporation）和濺射法（Sputtering）。這么一說是不是已經(jīng)迷茫了？

之所以有這么多方法，是因為每種方法使用的材料不同，優(yōu)缺點也不盡相同。

首先物相沉積（PVD）主要用于金屬薄膜沉積，特點是不涉及化學(xué)反應(yīng)；用物理方法沉積薄膜。讓我們來看看其中的一個：反應(yīng)濺射（Sputtering）。

濺射法（Sputtering）是一種用氬(Ar)氣沉積的方式。首先真空室中存在Ar氣體和自由電子，如果你給氬（Ar）氣體施加一個高電壓它就會變成離子。我們在我們需要沉積的基板上施加（+）電壓，在我們想要沉積的材料的目標(biāo)層上施加（-）電壓。自由電子和氬（Ar）氣體之間的碰撞導(dǎo)致離子化的會碰撞到（-）Target層，然后Target材料分離并沉積到基板(Substrate)上。然后氬（Ar）和自由電子不斷發(fā)生碰撞沉積繼續(xù)進行。

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試（Test）

2.半導(dǎo)體測試（工藝方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測試(Package Test)也包括可靠性測試，但它被稱為終測試是因為它是在產(chǎn)品出廠前對電氣特性進行的終測試（Final Test)。包裝測試是重要的測試過程，包括所有測試項目。首先在DC/AC測試和功能（Function）測試中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting（ex.DRAM)模組測試（Module Test）是指在PCB上安裝8-16個芯片后進行的，因此也稱為上板測試（Board Test）。Module Test在DC/Function測試后進行現(xiàn)場測試，以確保客戶能夠在實際產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個過程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片，就可以換成良品芯片重新組成模塊。致力國內(nèi)存儲半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時，優(yōu)良，完善的測試平臺，能夠為企業(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機。

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革恩半導(dǎo)體有限公司有著多年同海外企業(yè)合作與交流共同業(yè)研發(fā)多個存儲芯片測試平臺，積累了豐富經(jīng)驗，持續(xù)服務(wù)與海外多家存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家，研發(fā)存儲芯片方案。

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「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點應(yīng)該知道：（8）Wafer測試&打包工程

晶圓測試工藝的四個步驟

3)維修和終測試（Repair&FinalTest）

因為某些不良芯片是可以修復(fù)的，只需替換掉其中存在問題的元件即可，維修結(jié)束后通過終測試（FinalTest）驗證維修是否到位，終判斷是良品還是次品。

4)點墨（Inking）

顧名思義就是“點墨工序”。就是在劣質(zhì)芯片上點特殊墨水，讓肉眼就能識別出劣質(zhì)芯片的過程，過去點的是實際墨水，現(xiàn)在不再點實際墨水，而是做數(shù)據(jù)管理讓不合格的芯片不進行組裝，所以在時間和經(jīng)濟方面都有積極效果，完成Inking工序后，晶片經(jīng)過質(zhì)量檢查后，將移至組裝工序。智能導(dǎo)電膠設(shè)計

深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道桃源社區(qū)臣田航城工業(yè)區(qū)A1棟305南邊，是一家專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機）測試儀器配件－導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司。GN是深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司的主營品牌，是專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機）測試儀器配件－導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司，擁有自己的技術(shù)體系。公司以用心服務(wù)為重點價值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域：1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機）測試儀器配件－導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)等業(yè)務(wù)進行到底。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋芯片導(dǎo)電膠測試墊片，DDR測試、LPDDR測，內(nèi)存測試儀器，內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測試，堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。

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