重慶芯片導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體專(zhuān)題講座」芯片測(cè)試（Test）

2.半導(dǎo)體測(cè)試（工藝方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測(cè)試(Package Test)也包括可靠性測(cè)試，但它被稱(chēng)為終測(cè)試是因?yàn)樗窃诋a(chǎn)品出廠前對(duì)電氣特性進(jìn)行的終測(cè)試（Final Test)。包裝測(cè)試是重要的測(cè)試過(guò)程，包括所有測(cè)試項(xiàng)目。首先在DC/AC測(cè)試和功能（Function）測(cè)試中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting（ex.DRAM)模組測(cè)試（Module Test）是指在PCB上安裝8-16個(gè)芯片后進(jìn)行的，因此也稱(chēng)為上板測(cè)試（Board Test）。Module Test在DC/Function測(cè)試后進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，以確?？蛻?hù)能夠在實(shí)際產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個(gè)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片，就可以換成良品芯片重新組成模塊。DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）。重慶芯片導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點(diǎn)應(yīng)該知道：（8）Wafer測(cè)試&打包工程

芯片封裝過(guò)程

1)背面磨削（BackGrind）

FAB（晶圓代工廠/Foundry）制作的厚晶片背面，用鉆石輪研磨成所需厚度的薄晶片，使其成為薄半導(dǎo)體的過(guò)程。

2)晶片切割（WaferSaw）

把由多個(gè)芯片組成的晶片分離成單個(gè)芯片。

3)芯片貼裝（DieAttach）

芯片貼裝，也稱(chēng)芯片粘貼，從晶片上取下分離的良品單個(gè)芯片，并將其粘合到封裝基板上。

4)打線結(jié)合（WireBond）

將芯片焊接區(qū)電子封裝外殼基板進(jìn)行電氣連接。

5)塑封（Mold）

用熱硬化性樹(shù)脂EMC包裹基板，防止潮濕、熱量、物理沖擊等。

6)Marking

用激光刻印產(chǎn)制造商信息，國(guó)家，器件代碼等。

7)置球（SolderBallMount）

通過(guò)基板下表面安裝錫球(SolderBall)，實(shí)現(xiàn)PCB和Package的電氣連接，

8)SawSingulation

使用封裝切割用的鉆石輪將基板分離單獨(dú)的產(chǎn)品。惠州芯片測(cè)試導(dǎo)電膠#導(dǎo)電膠# #DDR導(dǎo)電膠# #測(cè)試導(dǎo)電膠# #LPDDR顆粒測(cè)試# #254BGA#。

「半導(dǎo)體專(zhuān)題講座」芯片測(cè)試（Test）

3.半導(dǎo)體測(cè)試（功能方面）：直流參數(shù)測(cè)試（DCTest）/AC參數(shù)測(cè)試（ACTest）/功能測(cè)試（FunctionTest）

3-2.FunctionTest/ACTest

AC參數(shù)測(cè)試主要是測(cè)試一些交流特性參數(shù),如傳輸時(shí)間設(shè)置時(shí)間和保持時(shí)間等交流參數(shù)測(cè)試實(shí)際上是通過(guò)改變一系列時(shí)間設(shè)定值的功能測(cè)試。將處在Pass/Fail臨界點(diǎn)的時(shí)間作為確定的測(cè)試結(jié)果時(shí)間交流參數(shù)測(cè)試所需的硬件環(huán)境與動(dòng)態(tài)功能測(cè)試用到的硬件環(huán)境相同。通過(guò)這種方式像DRAM測(cè)試時(shí)，把良品芯片按照速度和延來(lái)區(qū)分裝入的桶（Bin），并進(jìn)行分離的（Bin-Sorting）。BIN是指按SPPED對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行分類(lèi)，并在TEST程序中對(duì)具有類(lèi)似不良類(lèi)型的FAIL（不良）產(chǎn)品進(jìn)行分類(lèi)，以便快速、方便地進(jìn)行分析。

PCR Rubber Socket「PCR導(dǎo)電膠」

Rubber SockeＰＣＲ的主要特點(diǎn)：

>具有良好的壓力敏感性。

>靈活接觸，具有良好的接觸面跟隨性。

>不會(huì)對(duì)接觸面造成傷害。

>由于不是用點(diǎn)而是用面接觸，所以耐位置偏移。直流電流、交流電流都能發(fā)揮優(yōu)異的性能。

>電感低，高頻特性?xún)?yōu)良。

PCR Rubber Socket

GF socket 插座

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return loss、Insertion loss

Coaxial rubber socket

在需要低電感、低電阻及低接觸特性的高頻檢查中發(fā)揮優(yōu)異的性能。

High-speed Socket Rubber Products

Non-Coaxial RubberDDR存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)就是能夠同時(shí)在時(shí)鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時(shí)鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道(3)光刻技術(shù)(Photo Lithography)工藝

3. 光刻工藝流程光刻工藝過(guò)程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。

1) 曝光Exposure

曝光工藝?yán)镉蠱ask Layer之間對(duì)準(zhǔn)精確位置的對(duì)準(zhǔn)（Alignment）過(guò)程和即通過(guò)向感光膜發(fā)射光線來(lái)形成圖案的Exposure過(guò)程。經(jīng)過(guò)這個(gè)過(guò)程圖形就形成，根據(jù)需要曝光可以在三種模式下進(jìn)行。

2) 顯影Develop

顯影（Develop）與膠片照相機(jī)沖洗照片的過(guò)程相同，此過(guò)程將確定圖案的外觀。經(jīng)過(guò)顯影過(guò)程后，曝光后會(huì)有選擇地（Positive,Negative PR）去除暴露在光下的部分，未暴露的部分，從而形成電路圖案。以上就是給大家介紹的在晶片上印半導(dǎo)體電路的光刻工藝。好像有很多混淆的地方。大家都了解了嗎？，8大工程完成3個(gè)工程；剩下的5道工序。革恩半導(dǎo)體導(dǎo)電膠測(cè)試座： 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單材料損耗少 極高生產(chǎn)效率，可適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)。蘇州導(dǎo)電膠有哪些

基于MTK平臺(tái)開(kāi)發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測(cè)試儀器，并可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。重慶芯片導(dǎo)電膠

關(guān)于半導(dǎo)體工藝，這點(diǎn)你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝

3、除此之外，影響氧化膜生長(zhǎng)速度的半導(dǎo)體尺寸越來(lái)越小，而氧化膜作為保護(hù)膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是決定半導(dǎo)體尺寸的重要因素。因此，為了減小氧化膜的厚度，需要協(xié)調(diào)氧化過(guò)程中的各種變量。我們?cè)诘?節(jié)中討論過(guò)的濕法氧化，干法氧化也是其中變量的一種種類(lèi)，除此之外，晶片的晶體結(jié)構(gòu)，Dummy Wafer（為了減少正面接觸氣體或稍后接觸氣體部分的氧化程度差異，可以利用Dummy Wafer作為晶片來(lái)調(diào)整氣體的均勻度）、摻雜濃度、表面缺陷、壓力、溫度和時(shí)間等因素都可能影響氧化膜的厚度。

和我一起來(lái)了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及這些氧化膜的形成速度受哪些東西的影響。半導(dǎo)體八大工序中的兩個(gè)工序已經(jīng)完成；下節(jié)我們將討論在半導(dǎo)體上制作電路圖案的蝕刻工藝。重慶芯片導(dǎo)電膠

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